پیوندها
صفحه اصلی > آرشیوها > اخبار داخل منوی برگه ای 
اخبار > ماژول‌هاي فتوولتائيك لايه نازك


  چاپ        ارسال به دوست

#گزارش_علمی

ماژول‌هاي فتوولتائيك لايه نازك

غالب سلول هاي فتوولتائيك را امروزه سلول هاي سيليكوني تشكيل مي دهند و امروزه اكثر ماژول ‌‌هاي موجود در بازار به  صورت سيليسيوم تك  بلوره يا چندبلوره هستند اما استفاده از سلول‌‌‌هاي لايه نازك روند رو به رشدي را پيدا كرده است.

 سلول هاي لايه نازك همانطور كه از نامش مشخص است از يك لايه نازك نيمه رسانا براي جذب فتون ها استفاده مي كند. اولين سلول لايه نازك ساخته شده از نوع آمورف بود. اما اين سلول به دليل بازدهي كم و همچنين نرخ رسوب بالا نتوانست به صورت موفق ظاهر شود. در عوض سلول هاي كادميوم تلورايد به دليل بازدهي بالا در حال رقابت با سلول هاي سيليكوني هستند. بازدهي اين نوع سلول در ابعاد آزمايشگاهي تا كنون به 20% نيزرسيده است. سلول لايه نازك CIGS نيز نوعي ديگر از اين نوع سلول مي باشد كه براي آن نيز آينده ي خوبي متصورند. امروزه 10% تا 15% بازار انرژي خورشيدي را سيستم هاي لايه نازك تشكيل مي دهند.

با توجه به پتانسيل فناوري لايه نازك در كاهش قيمت، پيش بيني مي‌شود كه در آينده استفاده از اين فناوري سهم بالاتري از بازار را به خود اختصاص دهد. عليرغم اينكه راندمان اين ماژول ها كمتر از ماژول هاي سيلسيومي است، اما داشتن قيمت كمتر استفاده از اين ماژول ها را در سيستم‌‌‌هاي بزرگ فتوولتائيک مقرون به صرفه ساخته است. به عنوان نمونه نيروگاه در دست احداث مزرعه خورشيدي توپاز در ايالات متحده با توان نامي 550 مگاوات از ماژول هاي لايه نازك بهره برده است.

ساخت فتوولتائيك هاي لايه نازك نيازمند لايه نشاني 3 لايه است: يك لايه ي پايه الكترود، يك لايه نيمه‌هادي و يك لايه شيشه اي رساناي شفاف. تركيب لايه ها در لايه  نازك ها را در شكل زير مي توانيد مشاهده كنيد.

مزاياي اين فناوري مانند قيمت كم، وزن پايين و توانايي توليد آن ها روي يك لايه قابل انعطاف و چسباندن آن ها به ديوار، سقف و حتي پنجره مي تواند سبب اين پيشرفت در بازار شود.

#گزارش_علمی #انرژی_خورشیدی  #فتوولتائیک  #لايه_نازك


١٥:٣٦ - 1396/03/31    /    شماره : ٢٤٣٦٧    /    تعداد نمایش : ١١٧


نظرات بینندگان
این خبر فاقد نظر می باشد
نظر شما
نام :
ایمیل : 
*نظرات :
متن تصویر:
 

خروج




©تمامی حقوق متعلق به این سایت و برای معاونت علمی و فناوری ریاست جمهوری محفوظ می باشد.www.isti.ir